Re: 「技術革命で世を変える」
投稿者： canyontrue 投稿日時： 2007/01/05 23:04 投稿番号： [33358 / 38959]
＞三星電子は４０ｎｍ（ナノメートル＝１ｎｍは１０億分の１ｍ）・３２Ｇｂ（ギガバイト）のナンド（ＮＡＮＤ）フラッシュメモリを開発した。製品の量産が始まれば、フラッシュメモリがＰＣのハードディスクに代わると見込まれている。＜
こんな記事があった。
下記の記事からして、サムスンが先行できるかははっきり言って疑問だ。
＜米SanDisk、1.8インチの32GBフラッシュメモリドライブ(SSD)を発表＞
米SanDiskは1月4日(現地時間)、1.8インチサイズで32GBのストレージ容量を持つSSD(Solid State Drive)を発表した。
http://journal.mycom.co.jp/news/2007/01/05/101.htmlこれは メッセージ 33320 (japanese_chosun さん)への返信です．
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