日本半導体企業の‘三星打倒’が加速
投稿者: imp_mania_jk 投稿日時: 2007/01/11 20:07 投稿番号: [33437 / 38959]
打倒ってか?
飼い犬が主人の手を咬みまくってるから、始末するだけだろ?
さてさて、価格メリットの無くなったサムソンはどうなってしまうのか・・・
<丶`∀´> ウリもついにチョッパリから追われる立場ニダ ホルホル
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日本半導体企業の‘三星打倒’が加速
日本半導体企業の‘打倒三星電子’が本格化している。 攻撃的な大型設備投資計画を相次いで発表したのに続き、半導体事業の核心技術である‘微細化技術’の一部でも三星(サムスン)電子を追い抜き始めた。 日本経済新聞は11日、「日本の半導体企業はその間、全方向戦略を駆使する三星電子に押されていたが、今では従来とは違い‘競争の段階’にきている」と報じた。
◇最先端DRAMと非メモリーの微細化で先行=現在世界5位のDRAM企業である日本のエルピーダメモリは11日、記憶容量が従来より6割多い70ナノ(ナノは10億分の1メートル)のDRAMを広島工場で生産し始めた、と明らかにした。 これを受け、エルピーダメモリは従来の主力製品だった90ナノ製品の生産に比べ製造コストを40%削減することになった。 現在80ナノ製品を主に生産中の三星電子は70ナノDRAMでなく、今年下半期に60ナノ生産体制に入ると伝えられている。
半導体業界では、回路の線幅を縮小する‘微細化技術’が性能の向上とコスト削減、さらに新市場創出の核心と見なされている。 エルピーダメモリは2世代前の技術である90ナノDRAMの生産で三星電子に半年以上の遅れをとっていたが、80ナノで3カ月先行、今回の70ナノでもリードしていることを受け、シェア拡大を狙うことになった。
また非メモリー半導体のフラッシュメモリー市場で三星電子に次ぐ世界2位の東芝も、今月中に56ナノのNAND型フラッシュメモリーの生産を始める、と明らかにした。 この場合、現行の70ナノに比べて容量が60%増え、製造コストも大幅に下がる見込みだ。 三星は昨年7月に60ナノフラッシュの生産を開始、今年第1四半期中に50ナノを生産する計画だ。 東芝も90ナノでは三星に遅れをとったが、50ナノ型では先行している。
◇「経営資源の集中が成功」=日本経済新聞は「エルピーダメモリと東芝が競争力を取り戻したのは製造が難しい携帯電話用DRAMや大容量データの蓄積に適したNAND型フラッシュメモリーなど核心分野に経営資源を集中したため」と分析した。
日本の半導体会社は80年代に世界市場の80%を掌握し、微細化技術でリードしていたが、投資時期の判断ミスから90年代後半には三星電子の微細化技術と投資攻勢に押された。 その後、世界1・2位を争ったNECと日立が事業を統合してエルピーダメモリをスタートさせるなど‘半導体大国復活’を掲げて腐心してきた。 業界の専門家らは「韓国と日本の半導体企業間の主導権争いが次第に激しくなるだろう」と予想している。
ttp://japanese.joins.com/article/article.php?aid=83574&servcode=300§code=300
飼い犬が主人の手を咬みまくってるから、始末するだけだろ?
さてさて、価格メリットの無くなったサムソンはどうなってしまうのか・・・
<丶`∀´> ウリもついにチョッパリから追われる立場ニダ ホルホル
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日本半導体企業の‘三星打倒’が加速
日本半導体企業の‘打倒三星電子’が本格化している。 攻撃的な大型設備投資計画を相次いで発表したのに続き、半導体事業の核心技術である‘微細化技術’の一部でも三星(サムスン)電子を追い抜き始めた。 日本経済新聞は11日、「日本の半導体企業はその間、全方向戦略を駆使する三星電子に押されていたが、今では従来とは違い‘競争の段階’にきている」と報じた。
◇最先端DRAMと非メモリーの微細化で先行=現在世界5位のDRAM企業である日本のエルピーダメモリは11日、記憶容量が従来より6割多い70ナノ(ナノは10億分の1メートル)のDRAMを広島工場で生産し始めた、と明らかにした。 これを受け、エルピーダメモリは従来の主力製品だった90ナノ製品の生産に比べ製造コストを40%削減することになった。 現在80ナノ製品を主に生産中の三星電子は70ナノDRAMでなく、今年下半期に60ナノ生産体制に入ると伝えられている。
半導体業界では、回路の線幅を縮小する‘微細化技術’が性能の向上とコスト削減、さらに新市場創出の核心と見なされている。 エルピーダメモリは2世代前の技術である90ナノDRAMの生産で三星電子に半年以上の遅れをとっていたが、80ナノで3カ月先行、今回の70ナノでもリードしていることを受け、シェア拡大を狙うことになった。
また非メモリー半導体のフラッシュメモリー市場で三星電子に次ぐ世界2位の東芝も、今月中に56ナノのNAND型フラッシュメモリーの生産を始める、と明らかにした。 この場合、現行の70ナノに比べて容量が60%増え、製造コストも大幅に下がる見込みだ。 三星は昨年7月に60ナノフラッシュの生産を開始、今年第1四半期中に50ナノを生産する計画だ。 東芝も90ナノでは三星に遅れをとったが、50ナノ型では先行している。
◇「経営資源の集中が成功」=日本経済新聞は「エルピーダメモリと東芝が競争力を取り戻したのは製造が難しい携帯電話用DRAMや大容量データの蓄積に適したNAND型フラッシュメモリーなど核心分野に経営資源を集中したため」と分析した。
日本の半導体会社は80年代に世界市場の80%を掌握し、微細化技術でリードしていたが、投資時期の判断ミスから90年代後半には三星電子の微細化技術と投資攻勢に押された。 その後、世界1・2位を争ったNECと日立が事業を統合してエルピーダメモリをスタートさせるなど‘半導体大国復活’を掲げて腐心してきた。 業界の専門家らは「韓国と日本の半導体企業間の主導権争いが次第に激しくなるだろう」と予想している。
ttp://japanese.joins.com/article/article.php?aid=83574&servcode=300§code=300
これは メッセージ 1 (aASAYAN さん)への返信です.