Re: 「技術革命で世を変える」

投稿者： sonic_8808 投稿日時： 2007/01/04 11:55 投稿番号： [33332 / 38959]

>三星電子は４０ｎｍ（ナノメートル＝１ｎｍは１０億分の１ｍ）・３２Ｇｂ（ギガバイト）のナンド（ＮＡＮＤ）フラッシュメモリを開発した。

これ多分、元記事のミスだと思うんだが…
サムソンが開発したのは新方式による40nmの32G"ビット"のフラッシュメモリで
その方式が最大で20nmプロセスへのスケーラビリティが見込まれるため、最大で
256Gビット＝32Gバイトの物が生産できるって話のはずだが。

この辺を参照
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0609/12/news013.html

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