いよいよ韓国消滅へカウントダウン！

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貫禄の SAMSUNG また成した. やっぱり大韓民国!
三星電子, `第2 フュージョンメモリー` 院Dラム開発

ファングチァングギュ社長 `エンディグロブサング` 受賞
三星電子がネンドプルレシと露語フラッシュの長所を皆取り揃えたワンネンドに引き続き `第2のフュージョンメモリー`イン 512メガビット院Dラム(One Dラム) も開発した.



三星電子半導体総括ファングチァングギュ社長は 11日(現地時間) アメリカサンフランシスコヒルトン号テルで開幕した IEEE(国際電機電子工学会) 傘下 IEDM(国際電子素子学会)で院Dラム開発に成功したと発表した.



院Dラムはモバイル Dラムと Sラム二つの種類のデータ送信メモリーを一つの Dラムで取り替えたフュージョンメモリーで, 二つの CPUがそれぞれ専用した Dラムを一つで統合して CPUの間ところイトを共有しながらデータの羊を可変的に調節することができる機能(Shared Bank)を追加して CPUの間データ処理速度を最大限縮めたのが特徴だ.



三星電子は院Dラムで既存備え 5倍の CPUの間高速データ送信実現, チップ個数最小化でシステム構成原価節減, 回路面積 50% 及び電力消費 30% 減少など画期的な性能改善が可能になったと説明した.



三星電子は現在までこの製品の公正を開発してサンプルを確保したし, 来年 2分旗梁山に適用した後 3半期から供給する計画だ.



三星電子は院Dラムが来年下半期から携帯電話に本格的に搭載されながら 1ギガ院 Dラム梁山で事業が本軌道に上がる 2008年 2億ドルを始まりに来年から 2011年まで 5年間総 25億ドルほどの新市場を形成することで見込んだ.



黄社長は IEDM 基調演説で "FT(フュージョンテクノロジー) 時代が本格渡来するマージない未来には全世界 65億名人類がターゲット市場になること"と言いながら "異意実現のために全世界半導体業社が開発に挑戦している新概念半導体製品具現にフュージョン半島食あたり技術, 3D トランジスター技術, CTF(Charge Trap Flash) 技術などが土台になること"と言った.



一方黄社長は 12日(現地時間) 学会会員など 3千名余が参加した中に IEEE この社会が授与する半導体技術分野世界最高権威の `2006 IEEE エンディグロブサング`を受賞した.



黄社長は次世代革新メモリー製品開発成功, メモリー新しい成長では提示及び 7年連続立証などの功労を認められてインテルなどの推薦を通じてこの賞を受賞した.



`アンドグロブサング` 受賞者 7人の中東洋係企業人は彼が初めてだ.





黄社長は "この相議意味を過去韓日に対する治下というより未来の `メガトレンド`に新しく `チャレンジ`しなさいという鞭で理解する"と "今後とも世界半導体産業足の前のために来た身投げをすることをもう一度念をおす"と受賞所感を明らかにした.



aupfe@yna.co.kr
(サンフランシスコ=連合ニュース) キム・インチョル記者