北朝鮮

[速報, IT] 2003年 11月 18日 (火) 14:30

半導体の製作期間を 30% 縮めて原価も 20% 低めながら半導体の処理速度を大きく向上することができる次世代半導体素子源泉技術が世界最初で国内技術陣によって開発された.

韓国電子通信研究員(ETRI) ナノ電子素子チーム(チーム長イ・ソンジェ責任研究員)は 18日 "新物質と低温公正を取り入れて高性能素子を具現する新しい概念の半導体素子(トランジスター) 製作技術である 'ショトキトランジスター(Schottky Transistor)'を 2年の間の研究あげく世界最初に開発した"と明らかにした.

今度開発は情報通信省善導基盤技術開発事業である '情報通信用高機能半導体ナノ新素子技術開発事業'の一環で既存の半導体素子製造工程を大幅に単純化して製造甘いのかと製作期間を減らした.

同時に開発チームは素子の作動特性と性能を予測して製作された素子から設計変数を抽出することができる正確なシミュレーションツール(simulation tool)まで世界最初で開発した.

この研究員は "今度技術は既存半導体製造装備をそのまま使いながらすぐれた経済成果性能を同時に具現することができる"と "シミュレーションツールが一緒に開発されてすぐところに常用化して国内非メモリー産業に寄与することができる"と説明した.

ETRIはショトキトランジスター製造技術と係わって国際特許 9件, 国内特許 7件を出願したしこの分野の専門学術誌であるアプライドフィジックスレター(Applied Physics Letter)と国際電気.電子学会だ(IEEE Transactions on Nanotechnology) などに論文を載せるなど知的財産権確保に出た.

<臨床菌記者>


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日本はナノ技術も遅刻だ!! w