いよいよ韓国消滅へカウントダウン！

朝鮮日報のヨイショ記事のようですね。

↓以下が、共同通信の同じ記事。

＞最大容量のメモリー開発 　 サムスン電子が世界初 [ 09月11日 13時13分 ] 共同通信＜

http://www.excite.co.jp/News/economy/20060911131354/Kyodo_20060911a242010s20060911131354.htm l

＞記憶容量３２ギガビットと最大の「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」を世界で初めて開発したと発表した。＜

ちなみに、NAND（ナンド＝納戸）型の意味は以下です。
http://e-words.jp/w/NANDE59E8BE38395E383A9E38383E382B7E383A5 E383A1E383A2E383AA.html

＞NAND型フラッシュメモリ

1987年に東芝が開発したフラッシュメモリ技術。磁気ディスクに代わってデータの保存・運搬などに利用することを主な用途としている。

　 プログラムを収容するためのNOR型フラッシュメモリとは異なり、消去や書き込みの速度が速く大容量化に適した仕様となっているが、ブロック単位での読み書きしかできず、ランダムアクセスが遅いという欠点もある。

　 メモリカードメディアに広く応用されており、コンパクトフラッシュ、スマートメディア、SDメモリーカードなどの記憶素子として利用されている。＜

逆に、ランダムアクセスが早いNOR型というのあるんですが、
それの改良型の三菱のフラッシュメモリの記事に注目！。

＞ただし、NOR型フラッシュメモリは高集積化には向いておらず、また、書き込みに大きな電流が必要という欠点がある。

　 NOR型のこうした欠点を抑えた三菱電機のDiNOR型フラッシュメモリ(Divided bit line NOR)が注目されている。DiNOR型フラッシュメモリはセルの書き換えにトンネル効果(薄い絶縁体薄膜に高い電界を与えると電子が薄膜を通過する現象)を用いたもので、NOR型と同等の高速アクセス性に加え、従来より高い集積度や低い消費電力を実現できるとされている。＜

おいおい、＾＾；；

『絶縁体（電気や熱が通じない物質）を半導体開発に使う「チャージ・トラップ・フラッシュ（CTF）」という技術を導入した。CTFは電子製品の開発で絶縁体を応用するのは難しいというこれまでの常識を覆す、一種の技術的革命と評価される。』

日報のこの記事はなんやねん？。