サムスン、半導体も一人負け状態
投稿者: bellsantes 投稿日時: 2007/01/11 13:36 投稿番号: [10870 / 73791]
東芝とエルピーダ、日立とかが四年前から技術漏洩防止に走ったら、途端に一人負け状態。
サムスンなんて、マルチレベルセルの技術一つとっても、丸で話しにならないものを作ってて、ただただ安いだけ。
新製品は、発表ばっかりで、お話だけ。
猛追なんて言ってるけど、もう1年以上も、日米、台湾勢に、ひたすらシェア食われてますよね。
一人負けで、絶望的って、どうして書かないの?
東芝とエルピーダ、サムスン電子を猛追
DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)とNAND型フラッシュメモリー(電気的に一括消去・再書き込み可能な半導体メモリー)業界でトップを行くサムスン電子が、日本のライバル・メーカーの猛追を受けている。エルピーダメモリと東芝が半導体市場でサムスン電子を一気に追い抜く新技術を開発したのだ。
11日の日本経済新聞によると、世界第5位のDRAMメーカー、エルピーダメモリは、サムスン電子がリードしているDRAM市場で最先端製品を開発し紹介する予定だという。
また、サムスン電子に続いて世界第2位のNAND型フラッシュメモリー・メーカーの東芝も、今月末に次世代フラッシュメモリーを発表する計画だ。
エルピーダは広島工場で70ナノ(ナノは10億分の1)メートル大のDRAMチップの量産を開始した。
これは、現在主に流通している90ナノメートルのチップよりも小さく、生産コストも40%ほど削減することができる。エルピーダは同メモリーチップをパソコンやその他の電子機器に使用する予定だ。
また、同紙は「90ナノプロセスでDRAM業界をリードしてきたサムスン電子の技術に比べエルピーダは半年ほど遅れを取っていたものの、今回開発された70ナノプロセスのチップで逆に3カ月ほどリードするようになり、サムスン電子を一気に突き放した」と報じた。
一方、東芝は56ナノプロセスのNAND型フラッシュメモリーの生産に着手する予定だ。これは、従来の70ナノプロセスのメモリーに比べ性能面で60%ほど優れている、と同紙は説明した。
東芝は同フラッシュメモリーをパソコンのハード・ディスク・ドライブ(HDD)やデジタル・ビデオ・カメラなどに組み込むことを前提に生産する予定だ。
このように東芝も、サムスン電子がリードしているNAND型フラッシュメモリー市場で新たな製品を投入し、サムスン電子と猛烈な争いを繰り広げる見込みだ。
http://japanese.chosun.com/site/data/html_dir/2007/01/11/20070111000020.html
これは メッセージ 1 (may7idaho さん)への返信です.
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